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TBIS 15194:2019

C.4.7 必要場強度之產生
C.4.7.1 測試方法
(a) 可使用〝替代法〞製造磁場測試條件。
(b) 替代法：EPAC 不在測試場內時，在測試區參考點上，每一所需測試之頻率，
場產生器的RF 功率應設定至足以產生要求之測試場強度。RF 輸入功率及場產生

器其他相關設定， 均應記錄在測試報告(校正曲線)上。記錄之資訊係作為型式認
可之用。在測試場內對設備做任何變更時，應重複替代法。
(c) 完成上述步驟後， 將EPAC 送至測試設施內，參照C.4.5 之條件定位。再將

C.4.7.1(b)要求之功率，於C.4.6.1(a)所指定之每一頻率，施加至場產生器上。
(d) 無論所選定場參數是否與C.4.7.1(b)設定之條件一致，在整個測試期間應使用
相同參數決定該場強度。
(e) 為達本測試之目的，應比照C.4.7.1(b)操作法，使用相同之場產生器與相同之
設備配置。

(f) 場強度量測裝置：
依替代法，使用在校正階段用來測定場強度的裝置，應為一個小型等向探棒或一
已校正之接收天線。

在替代法校準期間，場強度量測裝置之相中點，應與參考點一致。
若使用已校正過接收天線作為場強度量測裝置時， 讀值應來自3個相互垂直之方
向。則這些量測結果之等效等向值應視為場強度。
(g) 考慮EPAC 幾何結構之差異，相關測試設定應建立幾個參考點。
C.4.7.2 場強度輪廓

在校正階段(EPAC 尚未定位至測試表面)時，場強度不得低於下列位置之正常場
強度之50 %：
(a) 所有場產生裝置－距通過參考點直線兩側(1.0±0.02) m，且垂直於EPAC縱向平

面之位置。
(b) TLS－ 距通過參考點直線(1.5±0.02) m 及在EPAC 縱向平面之位置。
C.4.7.3 產生之測試訊號特性
C.4.7.3.1 調變測試場強度之峰值
調變測試場強度之峰值應對應於未調變測試電流或場強度之值，即以C.1.2.4.2 定

義之V/m 表示之實際值。
C.4.7.3.2 測試訊號波形
在調變率(m)=0.8±0.04 (峰值)， 1 kHz 正弦波調幅調變之射頻(RF)正弦波。

C.4.7.3.3 調變率
調變率m 定義如下：
m≥NUM>最大包絡值－最小包絡值>DEN>最大包絡值＋最小包絡值包絡為示波
器上所見之調變載波波緣所形成之曲線。

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